КОНСУЛЬТАЦИИ
Джаз

Новости систем автоматизации и безопасности

ПРЕДЫДУЩАЯ НОВОСТЬПРЕДЫДУЩАЯ НОВОСТЬСЛЕДУЮЩАЯ НОВОСТЬСЛЕДУЮЩАЯ НОВОСТЬ

23 июля 2014

Новые SiC модули Cree

 

Новые SiC модули Cree

Полностью карбидокремниевые 300-амперные полумостовые модули с рабочим напряжением 1.2 кВ позволят удвоить плотность мощности и поднять до 99% КПД индукционных нагревателей, центральных инверторов солнечных электростанций и активных драйверов двигателей.

 

Используя свою карбидокремниевую технологию (SiC), компания Cree создает все более миниатюрные, легкие, эффективные и дешевые силовые устройства. В последнем 300-амперном полумостовом модуле на напряжение 1.2 кВ, упакованном в стандартный для отрасли корпус шириной 62 мм, удалось значительно снизить потери энергии за счет пятикратного увеличения частоты переключения по сравнению с эквивалентными кремниевыми устройствами. Наивысшая для приборов такого класса эффективность впервые позволила отнести SiC преобразователи мощности к мегаваттному классу, упрочив лидерство Cree в технологии производства SiC кристаллов для сильноточных силовых модулей.

 

«Уникальные характеристики созданных Cree новых SiC силовых модулей позволили в наших высокочастотных индукционных нагревательных системах достичь эффективности 99%, одновременно сократив количество модулей в 2.5 раза», – сказал Джон К. Лэнджелид (John K. Langelid), менеджер отдела исследований и разработок компании EFD Induction. – «Эти преимущества крайне важны с точки зрения снижения эксплуатационных издержек для наших конечных потребителей».

 

Новый полностью карбидокремниевый 62-миллиметровый полумостовой модуль переворачивает наши представления об эффективности ключевых схем и их характеристиках, позволяя разработчикам сократить количество магнитных и охлаждающих элементов, удвоить плотность мощности и снизить стоимость системы, а также сократить эксплуатационные расходы для конечных пользователей. Используя предоставляемые новыми модулями возможности реализации упрощенной двухуровневой топологии с более высокими рабочими частотами, конструкторы смогут отказаться от инвестиций в многоуровневые решения, основанные на кремниевых приборах.

 

Новейший SiC модуль компании Cree может использоваться с множеством драйверов затворов, и совместим по выводам со стандартными полумостовыми модулями шириной 62 мм, включая IGBT модули с рабочими токами 450 А и более. Это позволит разработчикам легко и быстро оценить беспрецедентные возможности модуля.

 

www.prosoft.ru

ЗАКАЗ ЗВОНКА